AI PCB系列研究：mSAP迎来HDI时刻

　　核心观点：

　　PCB制造分为三大工艺，mSAP迎来HDI时刻。PCB工艺主要分为减成法、全加成法和半加成法。减成法技术成熟、成本低廉，但存在侧蚀问题，线宽/线距（L/S）最低可以做到30μm，多用于中低端普通PCB；全加成法线路精度极高、线宽/线距（L/S）可以做到10μm，但工艺复杂、成本偏高，仅应用于超高阶IC封装载板。mSAP（改进型半加成法）采用超薄铜箔基材，经图形电镀、剥膜、闪蚀成型，线路垂直度与阻抗表现优异，同时平衡工艺成本与量产能力，线宽/线距（L/S）可做到20μm~25μm，过去主要用于手机SLP类载板领域。随着光模块、存储以及CoWoP对PCB的线宽线距要求越来越高，mSAP应用越来越广泛，迎来HDI时刻。

　　mSAP应用拓宽至光模块、存储、CoWoP领域。光模块：随着光模块速率提高，800G光模块开始部分采用mSAP工艺，1.6T光模块有望大幅拉动mSAP工艺需求。光模块所需要的mSAP板层数更高，加工更加复杂，其单位价格显著高于手机SLP。存储：随着DDR5升级到第三子代，服务器DDR5内存条的PCB也需要采用mSAP工艺；此外，英伟达veraCPU所配套的socamm2模组也需采用mSAP工艺，进一步打开mSAP市场空间。CoWoP：英伟达正在积极推进该项工艺研发计划用于RubinUltra，mSAP作为核心工艺未来空间广阔。

　　mSAP厂商产能加速扩张，产业链同步受益。具有mSAP能力厂商主要有鹏鼎控股、深南电路、兴森科技、方正科技、胜宏科技等，其中根据公司投资者关系资料，鹏鼎控股规划26年资本开支168亿元，重点涵盖类载板、HDI板以及高多层板；根据公司投资者关系资料，兴森科技CSP封装基板的总产能为5万平方米/月，1.6T光模块产品板量产爬坡中；根据公司投资者关系资料，深南电路投资建设泰国工厂，具备高多层、HDI等PCB工艺技术能力；根据公司官网披露，方正科技珠海P8工厂预计26年11月建成投入试生产；根据25年年报披露，胜宏科技泰国、越南、马来西亚工厂在25年均投资建设生产线；根据公司投资者关系资料，红板科技募投年产120万平方米高精密电路板项目；根据公司26年5月公告，景旺电子新建珠海高阶HDI工厂，计划26中试产，泰国工厂预计26年内投产；根据公司25年年报，生益电子东莞项目预计26年正式投产，泰国25年已完成厂房主体建筑封顶；根据公司投资者关系资料，广合科技工厂主要产能于27年释放。mSAP相关厂商正密集扩产，行业处于资本开支高峰期。mSAP上游超薄可剥铜、ABF树脂等高端核心材料长期由海外企业垄断，存在较高技术壁垒与供给约束，目前正加速实现技术突破与国产替代，可满足高阶mSAP工艺量产需求。

　　投资建议。mSAP迎来从手机SLP向光模块、存储模组及CoWoP等多元场景拓展的HDI时刻。凭借精细线路能力与量产经济性，加速替代传统减成法成为高精密PCB主流工艺。其中，800G/1.6T光模块、DDR5服务器内存条、英伟达VeraCPU配套模组等需求爆发，显著提升单板价值量与市场空间。从产业链来看，国内主流PCB厂商已加速扩产，上游超薄可剥铜、ABF树脂等核心材料国产替代取得突破，产业链自主可控能力持续增强，行业有望进入高景气成长期。建议关注：（1）具备mSAP量产能力的PCB厂商；（2）上游核心材料与设备环节中率先实现国产替代的标的。

　　风险提示。mSAP工艺升级不及预期。光模块需求量不及预期。先进封装商业化不及预期风险。