韩研究团队开发出更低成本和功耗的LTPO器件
韩国汉阳大学电子工程系郑在京教授领导的团队开发了一种可以降低生产成本和功耗的“氧化物半导体沟道晶体管器件”。
汉阳大学郑在京教授
最近，在实现高分辨率显示的同时降低功耗的低温多晶氧化物 (LTPO) 有机发光二极管 (OLED) 技术正在应用于旗舰智能手机。
此时，LTPO 是一种将高电子迁移率但高漏电流的低温多晶硅（LTPS）和低电子迁移率但低漏电流的非晶氧化物（IGZO）两种半导体沟道工艺相辅相成的技术。然而，存在接合过程困难且昂贵的缺点。
Jeong 教授的团队开发了一种半导体沟道晶体管器件，可以同时克服 LTPO 和 IGZO 的缺点。将现有LTPO工艺中两个半导体通道结合的方法替换为单通道的方法，可以大大简化制造工艺。
Jaekyung Jeong教授团队开发的立方尖晶石晶体氧化物沟道材料特征图
该研究团队有效地使用金属催化剂在 300 度或更低的低温下生长出“立方尖晶石晶体氧化物沟道材料”。通过该工艺生产的尖晶石氧化物晶体管器件显示出世界上最高的电场迁移率（>80 cm2/Vs）和非常好的电流关断比。同时，显示装置应用中最重要的电气可靠性也得到证实。
Jeong教授预测，“未来，它有可能被用于尖端、低功耗、超高分辨率的移动显示行业。该研究得到了韩国产业通商资源部产业技术革新项目和三星显示的支持，研究成果发表在材料领域的世界级学术期刊《Small methods》上。
译自ETnews
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